제품

기능
재료: | 텅스텐, 텅스텐 합금 |
청정: | 99퍼센트 |
모양: | 도면에 따라 |
크기: | 도면에 따라 |
텅스텐 이온 주입 구성 요소 설명
텅스텐은 광택이 나는 은백색 외관을 가진 단단한 금속입니다. 산과 알칼리에 의한 산화 및 공격에 강합니다. 부피가 큰 금속으로 모든 금속 중 녹는점이 가장 높습니다. 텅스텐의 화학명은 Wolfram이며 W로 표시됩니다. 원자번호는 74이며 주기율표의 6주기인 전이금속 범주에 속합니다.
이온 주입은 반도체 소자 제조, 금속 마감 및 재료 과학 연구에서 널리 사용되는 중요한 공정입니다. 이는 원소의 이온이{0}고체 타겟으로 가속되어 타겟의 물리적, 화학적 또는 전기적 특성을 변화시키는 저온 과정입니다.
이온 주입기는 집적 회로를 만드는 핵심 장비입니다. 이온빔이 반도체 표면에 발사되어{0}침착되면 캐리어 농도와 전도 유형이 변경됩니다. 이온 주입은 표면 개질성이 우수하여 반도체 재료, 금속, 세라믹, 고분자{1}}폴리머 등에 널리 적용됩니다.
이온 주입은 대규모 집적 회로(IC)를 만드는 데 필수적입니다. 이온 주입의 구성 요소는 종종 TZM, 몰리브덴 및 텅스텐으로 만들어집니다. 이러한 재료는 내부식성, 강도 및 높은 열 전도성으로 인해 열악한 환경에서 잘 작동할 수 있기 때문입니다. 주입기 시스템의 가장 중요한 부분은 구성 요소가 맞물리는 빔 경로입니다. 여기에서 이온이 생성, 농축, 가속되어 웨이퍼를 향하게 됩니다.
반도체 산업용 제품
챔버(텅스텐, 몰리브덴 및 합금)
필라멘트(텅스텐 및 텅스텐 합금)
아크 슬릿(텅스텐, 몰리브덴 및 합금)
홀더(텅스텐, 몰리브덴 및 합금)
음극(텅스텐, 몰리브덴 및 합금)
예비 부품(텅스텐, 몰리브덴 및 합금, 세라믹, 강철)
사양 및 화학 성분
재료 | 유형 | 화학 성분(중량 기준) |
순수한 텅스텐 | W1 | >최소 99.95% 모 |
텅스텐 구리 합금 | WCu | 10% ~50% Cu / 50% ~90% W |
텅스텐 중합금 | WNiFe | 1.5% - 10% Ni, Fe, Mo |
텅스텐 중합금 | WNiCu | 5% - 9.8% Ni, Cu |
텅스텐 레늄 | WRE | 5,{1}} 퍼센트 재 |
몰리 텅스텐 | MoW50 | {{0}},0퍼센트 W |
텅스텐의 화학적 성질
화학 데이터 | |
CAS 번호 | 7440-33-7 |
열 중성자 단면 | 19.2 헛간/원자 |
전극 전위 | 4.5 V |
이온 반경 | 0.620 Å |
전기 음성도 | 1.7 |
X{0}}선 흡수 가장자리 | 0.17837 Å |
전기화학적 등가물 | 3.43 g/A/h |
텅스텐의 물리적 특성
속성 | 미터법 | 장엄한 |
밀도 | 19.3g/cm3 | 00.697파운드/인치3 |
녹는 점 | 3370도 | 화씨 6100도 |
비점 | 5900도 | 10700도 F |
텅스텐의 기계적 성질
속성 | 미터법 | 장엄한 |
인장 강도 | 980MPa | 142000psi |
탄성 계수 | 400GPa | 58000ksi |
전단 계수 | 156GPa | 22600ksi |
포아송 비율 | 0.28 | 0.28 |
경도, 브리넬 | 294 | 294 |
경도, 비커스 | 310 | 310 |
경도, 누프 | 318 | 318 |
경도, 로크웰 A | 66 | 66 |
경도, Rockwell C | 31 | 31 |
텅스텐의 열적 특성
속성 | 미터법 | 장엄한 |
열팽창 계수{0}}효율(@20-100도/68-212도 F) | 4.40 µm/m 정도 | 2.44 µin/in도 F |
열 전도성 | 163.3W/mK | 1133BTU in/hr.ft². 학위 F |
텅스텐 이온 주입 부품 응용 및 관련 산업
● 반도체 제조
● 공구강 강화 및 표면 마무리용 금속 마무리
● Ion Beam Mixing을 통한 차등 인터페이스 구현 및 비혼화성 재료 간의 접착력 강화
● 연구 및 연구실
● 반도체
● 금속
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