제품

텅스텐 이온 주입 부품

텅스텐 이온 주입 부품

자료: 텅스텐, 텅스텐 합금

기능

재료:

텅스텐, 텅스텐 합금

청정:

99퍼센트

모양:

도면에 따라

크기:

도면에 따라

텅스텐 이온 주입 구성 요소 설명

텅스텐은 광택이 나는 은백색 외관을 가진 단단한 금속입니다. 산과 알칼리에 의한 산화 및 공격에 강합니다. 부피가 큰 금속으로 모든 금속 중 녹는점이 가장 높습니다. 텅스텐의 화학명은 Wolfram이며 W로 표시됩니다. 원자번호는 74이며 주기율표의 6주기인 전이금속 범주에 속합니다.

이온 주입은 반도체 소자 제조, 금속 마감 및 재료 과학 연구에서 널리 사용되는 중요한 공정입니다. 이는 원소의 이온이{0}고체 타겟으로 가속되어 타겟의 물리적, 화학적 또는 전기적 특성을 변화시키는 저온 과정입니다.

이온 주입기는 집적 회로를 만드는 핵심 장비입니다. 이온빔이 반도체 표면에 발사되어{0}침착되면 캐리어 농도와 전도 유형이 변경됩니다. 이온 주입은 표면 개질성이 우수하여 반도체 재료, 금속, 세라믹, 고분자{1}}폴리머 등에 널리 적용됩니다.

이온 주입은 대규모 집적 회로(IC)를 만드는 데 필수적입니다. 이온 주입의 구성 요소는 종종 TZM, 몰리브덴 및 텅스텐으로 만들어집니다. 이러한 재료는 내부식성, 강도 및 높은 열 전도성으로 인해 열악한 환경에서 잘 작동할 수 있기 때문입니다. 주입기 시스템의 가장 중요한 부분은 구성 요소가 맞물리는 빔 경로입니다. 여기에서 이온이 생성, 농축, 가속되어 웨이퍼를 향하게 됩니다.

반도체 산업용 제품

챔버(텅스텐, 몰리브덴 및 합금)

필라멘트(텅스텐 및 텅스텐 합금)

아크 슬릿(텅스텐, 몰리브덴 및 합금)

홀더(텅스텐, 몰리브덴 및 합금)

음극(텅스텐, 몰리브덴 및 합금)

예비 부품(텅스텐, 몰리브덴 및 합금, 세라믹, 강철)

사양 및 화학 성분

재료

유형

화학 성분(중량 기준)

순수한 텅스텐

W1

>최소 99.95% 모

텅스텐 구리 합금

WCu

10% ~50% Cu / 50% ~90% W

텅스텐 중합금

WNiFe

1.5% - 10% Ni, Fe, Mo

텅스텐 중합금

WNiCu

5% - 9.8% Ni, Cu

텅스텐 레늄

WRE

5,{1}} 퍼센트 재

몰리 텅스텐

MoW50

{{0}},0퍼센트 W

텅스텐의 화학적 성질

화학 데이터


CAS 번호

7440-33-7

열 중성자 단면

19.2 헛간/원자

전극 전위

4.5 V

이온 반경

0.620 Å

전기 음성도

1.7

X{0}}선 흡수 가장자리

0.17837 Å

전기화학적 등가물

3.43 g/A/h

텅스텐의 물리적 특성

속성

미터법

장엄한

밀도

19.3g/cm3

00.697파운드/인치3

녹는 점

3370도

화씨 6100도

비점

5900도

10700도 F

텅스텐의 기계적 성질

속성

미터법

장엄한

인장 강도

980MPa

142000psi

탄성 계수

400GPa

58000ksi

전단 계수

156GPa

22600ksi

포아송 비율

0.28

0.28

경도, 브리넬

294

294

경도, 비커스

310

310

경도, 누프

318

318

경도, 로크웰 A

66

66

경도, Rockwell C

31

31

텅스텐의 열적 특성

속성

미터법

장엄한

열팽창 계수{0}}효율(@20-100도/68-212도 F)

4.40 µm/m 정도

2.44 µin/in도 F

열 전도성

163.3W/mK

1133BTU in/hr.ft². 학위 F

텅스텐 이온 주입 부품 응용 및 관련 산업

● 반도체 제조

● 공구강 강화 및 표면 마무리용 금속 마무리

● Ion Beam Mixing을 통한 차등 인터페이스 구현 및 비혼화성 재료 간의 접착력 강화

● 연구 및 연구실

● 반도체

● 금속


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